S29GL512T12DHN020 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details S29GL512T12DHN020 Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 120 ns, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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S29GL512T12DHN020 | Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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| S29GL512T12DHN020 | Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
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| S29GL512T12DHN020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Case: BGA64 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Access time: 120ns Memory: 512Mb FLASH Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Kind of memory: NOR |
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| S29GL512T12DHN020 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
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| S29GL512T12DHN020 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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| S29GL512T12DHN020 |
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Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
NOR Flash PNOR
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| S29GL512T12DHN020 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Case: BGA64
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Memory: 512Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Case: BGA64
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Memory: 512Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
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| S29GL512T12DHN020 |
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Hersteller: Cypress Semiconductor
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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