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S4D20120GTR

S4D20120GTR SMC Diode Solutions

S4D20120A%20S4D20120H%20S4D20120G%20N2367%20REV.G.pdf
Hersteller: SMC Diode Solutions
Description: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
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Technische Details S4D20120GTR SMC Diode Solutions

Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Case: D2PAK, Max. forward voltage: 3V, Max. forward impulse current: 162A, Kind of package: reel; tape.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S4D20120GTR S4D20120GTR SMC DIODE SOLUTIONS S4D20120x.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: reel; tape
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S4D20120GTR S4D20120x.pdf
S4D20120GTR
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
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