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S4PJ-M3/86A

S4PJ-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s4pm.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
auf Bestellung 1400 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details S4PJ-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - S4PJ-M3/86A - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 860 mV, 2.5 µs, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-277A, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 860mV, Sperrverzögerungszeit: 2.5µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: eSMP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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S4PJ-M3/86A S4PJ-M3/86A Hersteller : Vishay General Semiconductor s4pm.pdf Rectifiers 4.0 Amp 600 Volt
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S4PJ-M3/86A S4PJ-M3/86A Hersteller : VISHAY VISH-S-A0017357267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - S4PJ-M3/86A - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 860 mV, 2.5 µs, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 860mV
Sperrverzögerungszeit: 2.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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S4PJ-M3/86A S4PJ-M3/86A Hersteller : VISHAY VISH-S-A0017357267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - S4PJ-M3/86A - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 860 mV, 2.5 µs, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 860mV
Sperrverzögerungszeit: 2.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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S4PJ-M3/86A Hersteller : VISHAY s4pm.pdf S4PJ-M3/86A SMD universal diodes
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S4PJ-M3/86A S4PJ-M3/86A Hersteller : Vishay s4pm.pdf Rectifier Diode Switching 600V 4A 2500ns 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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S4PJ-M3/86A S4PJ-M3/86A Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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