S4PJ-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 0.81 EUR |
| 26+ | 0.70 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
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Technische Details S4PJ-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - S4PJ-M3/86A - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 860 mV, 2.5 µs, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-277A, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 860mV, Sperrverzögerungszeit: 2.5µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: eSMP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote S4PJ-M3/86A nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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S4PJ-M3/86A | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 4.0 Amp 600 Volt |
auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S4PJ-M3/86A | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - S4PJ-M3/86A - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 860 mV, 2.5 µs, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 860mV Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: eSMP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S4PJ-M3/86A | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - S4PJ-M3/86A - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 860 mV, 2.5 µs, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 860mV Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: eSMP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S4PJ-M3/86A | Hersteller : VISHAY |
S4PJ-M3/86A SMD universal diodes |
auf Bestellung 1494 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4PJ-M3/86A | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 4A 2500ns 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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S4PJ-M3/86A | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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