S6AE102A0DGN1B200 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC PMIC ENERGY HARVESTING 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Applications: Energy Harvesting
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 26.62 EUR |
| 10+ | 24.04 EUR |
| 25+ | 22.92 EUR |
| 100+ | 19.91 EUR |
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Technische Details S6AE102A0DGN1B200 Infineon Technologies
Description: IC PMIC ENERGY HARVESTING 20QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C, Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V, Applications: Energy Harvesting, Supplier Device Package: 20-QFN (4x4), Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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S6AE102A0DGN1B200 | Hersteller : Infineon Technologies |
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S6AE102A0DGN1B200 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC PMIC ENERGY HARVESTING 20QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Applications: Energy Harvesting Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Obsolete |
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