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S70GL02GS11FHI010

S70GL02GS11FHI010 Infineon Technologies

2gs2gbit256mbytes30vflashmemorydatasheetdatasheetv1300en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 2G-bit 128M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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Technische Details S70GL02GS11FHI010 Infineon Technologies

Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S70GL02GS11FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, CFI, parallel, FBGA, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, Flash-Speicher: Parallel-NOR, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 110, IC-Schnittstelle: CFI, parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 2.7, Taktfrequenz: -, Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, Anzahl der Pins: 64, Speichergröße: 2, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, Versorgungsspannung, max.: 3.6, Betriebstemperatur, max.: 85, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S70GL02GS11FHI010 S70GL02GS11FHI010 Infineon Technologies 2gs2gbit256mbytes30vflashmemorydatasheetdatasheetv1300en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 2G-bit 128M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Verified
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Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
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Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
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