S70KS1282GABHV020 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 128MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.96 EUR |
| 10+ | 10.21 EUR |
| 25+ | 9.9 EUR |
| 50+ | 9.67 EUR |
| 100+ | 9.44 EUR |
| 338+ | 9.03 EUR |
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Technische Details S70KS1282GABHV020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 128Mbit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 128Mbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 35ns, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 200MHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote S70KS1282GABHV020 nach Preis ab 8.91 EUR bis 10.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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S70KS1282GABHV020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: HyperRAM Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 128Mbit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 128Mbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 35ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 200MHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| S70KS1282GABHV020 | Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S70KS1282GABHV020 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S70KS1282GABHV020 |
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Hersteller: Infineon Technologies
DRAM SPCM
DRAM SPCM
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 10.77 EUR |
| 10+ | 10.05 EUR |
| 25+ | 9.75 EUR |
| 50+ | 9.49 EUR |
| 100+ | 9.26 EUR |
| 250+ | 9.03 EUR |
| 338+ | 8.91 EUR |