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S70KS1282GABHV020

S70KS1282GABHV020 INFINEON

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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 82 Stücke:
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Technische Details S70KS1282GABHV020 INFINEON

Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 128Mbit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 128Mbit, Zugriffszeit: 35ns, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 200MHz, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S70KS1282GABHV020 Infineon Technologies hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0300en.pdf PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
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