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S8050-H

S8050-H Yangjie

s8050-h-datasheet.pdf
Produktcode: 160617
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Hersteller: Yangjie
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 150 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 25 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А
Stromverstärkung h21: 350
Montage: SMD
auf Bestellung: 4213 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S8050-H S8050-H YANGJIE TECHNOLOGY S8050-L%20THRU%20S8050-H-SOT-23-%E6%B5%B7%E9%B8%A5%E8%84%9A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 200...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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S8050-H Yangjie Electronic Technology S8050-L%20THRU%20S8050-H-SOT-23-%E6%B5%B7%E9%B8%A5%E8%84%9A.pdf S8050-H
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S8050-H
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 200...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
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Hersteller: Yangjie Electronic Technology
S8050-H
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Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1164 St.
  • 1164 St. - stock Köln
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet 10.08.2026
auf Bestellung: 3223 St.
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SS14
Produktcode: 1577
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SS14
Hersteller: YJ/MIC/Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 40 А
UKTZED: 8541 10 00 10
auf Bestellung: 8814 St.
  • 8814 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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S8550-H
Produktcode: 160618
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s8550-l_thru_s8550-h-sot23.pdf
S8550-H
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 150 МГц
Spannung Uce, V: 25 В
Spannung Ucb, V: 40 В
Strom Ic, A: 0,5 А
Stromverstärkung h21, max: 350
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S8550-H
Produktcode: 177769
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datasheet-s8550cj.pdf
S8550-H
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 150 МГц
Spannung Uce, V: 25 В
Spannung Ucb, V: 40 В
Strom Ic, A: 0,5 А
Stromverstärkung h21, max: 350
auf Bestellung: 2944 St.
  • 2944 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 kOhm 1% 0,25W bedrahtet (MFR025FTB-10KR – Hitano)
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Typ: Metallschicht
auf Bestellung: 25775 St.
  • 25775 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.039 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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