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S8550-H

S8550-H CJ

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Produktcode: 177769
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Hersteller: CJ
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
U, V: 25 V
U, V: 40 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 350
auf Bestellung 3212 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
S8550-H S8550-H Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 200...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1250+0.057 EUR
2084+0.034 EUR
2907+0.025 EUR
3003+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1250
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S8550-H Hersteller : Yangjie Electronic Technology S8550-H
auf Bestellung 999000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7143+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7143
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S8550-H S8550-H
Produktcode: 160618
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Hersteller : Yangjie s8550-l_thru_s8550-h-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
U, V: 25 V
U, V: 40 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 350
Produkt ist nicht verfügbar
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S8550-H S8550-H Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Description: TRANS PNP 25V 0.5A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S8550-H S8550-H Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Description: TRANS PNP 25V 0.5A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
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S8050-H
Produktcode: 160617
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s8050-h-datasheet.pdf
S8050-H
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 350
ZCODE: SMD
auf Bestellung 4368 St.:
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SS8050-HQ
Produktcode: 177775
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SS8050-HQ _Data_sheet.pdf
SS8050-HQ
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 350
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1824 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 8 St.:
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PLS-2 (Stifte auf Platte, 1х2, 2,54mm)
Produktcode: 52556
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PLS-2 (Stifte auf Platte, 1х2, 2,54mm)
Hersteller: Cvilux
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Stifte 1 - Reihe auf Platte gerade, 2 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, 250VAC
Stecker/Buchse: Stifte (Stecker)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 2-Reihen
Anzahl Kontakte: 2
verfügbar: 2530 St.
250 St. - stock Köln
2280 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.012 EUR
1000+0.0078 EUR
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S1M (Toshiba)
Produktcode: 123317
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S1M (Toshiba)
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Austauschbar: S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, GS1A, GS1B, GS1D, GS1G, GS1J, GS1K, GS1M, 1N4007/M7
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 8788 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBTA44
Produktcode: 160591
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mmbta-44-datasheet-yj.pdf
MMBTA44
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 400 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 200
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2965 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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