S80KS2562GABHB023 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 8
Access Time: 35 ns
Memory Interface: HyperBus
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-VBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details S80KS2562GABHB023 Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 32M x 8, Access Time: 35 ns, Memory Interface: HyperBus, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8), Memory Format: PSRAM, Clock Frequency: 200 MHz, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 256Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 24-VBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote S80KS2562GABHB023
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| S80KS2562GABHB023 | Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S80KS2562GABHB023 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Kind of memory: DRAM Type of integrated circuit: DRAM memory Case: FBGA24 Interface: HyperBus Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Access time: 35ns Supply voltage: 1.7...2V DC Clock frequency: 200MHz Memory: 256Mb DRAM |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| S80KS2562GABHB023 | Infineon Technologies |
256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| S80KS2562GABHB023 |
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Hersteller: Infineon Technologies
DRAM SPCM
DRAM SPCM
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S80KS2562GABHB023 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
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| S80KS2562GABHB023 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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