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S80KS2562GABHB023

S80KS2562GABHB023 Infineon Technologies

Infineon-S80KS2562_1.8_V_256-Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd82db3d308ae
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details S80KS2562GABHB023 Infineon Technologies

Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 24-VBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: HyperBus, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 32M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S80KS2562GABHB023 Infineon Technologies ineon_S80KS2562_1.8_V_256_Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_Self_Refresh_DRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf DRAM SPCM
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S80KS2562GABHB023 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S80KS2562_1.8_V_256-Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd82db3d308ae Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
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S80KS2562GABHB023 Infineon Technologies hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf 256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100
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Hersteller: Infineon Technologies
DRAM SPCM
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
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Hersteller: Infineon Technologies
256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100
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