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S80KS2562GABHI020

S80KS2562GABHI020 Infineon Technologies

Infineon-S80KS2562_1.8_V_256-Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd82db3d308ae
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 8
Access Time: 35 ns
Memory Interface: HyperBus
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-VBGA
Packaging: Tray
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AnzahlPrivatkunde
2+16.54 EUR
10+15.39 EUR
25+14.91 EUR
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Technische Details S80KS2562GABHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS2562GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S80KS2562GABHI020 S80KS2562GABHI020 INFINEON CYPR-S-A0013771847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS2562GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
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S80KS2562GABHI020 Infineon Technologies hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf PSRAM Sync Single Port 256M-bit 32M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
auf Bestellung 325 Stücke:
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65+10.2 EUR
100+9.56 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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S80KS2562GABHI020 Infineon Technologies hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf PSRAM Sync Single Port 256M-bit 32M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
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S80KS2562GABHI020 Infineon Technologies hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf PSRAM Sync Single Port 256M-bit 32M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
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S80KS2562GABHI020 Infineon Technologies ineon_S80KS2562_1.8_V_256_Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_Self_Refresh_DRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf DRAM SPCM
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S80KS2562GABHI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
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Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
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