Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > S80KS2562GABHV020
S80KS2562GABHV020

S80KS2562GABHV020 Infineon Technologies

Infineon-S80KS2562_1.8_V_256-Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd82db3d308ae Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.28 EUR
10+9.55 EUR
25+9.26 EUR
50+9.04 EUR
100+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details S80KS2562GABHV020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS2562GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote S80KS2562GABHV020 nach Preis ab 8.71 EUR bis 11.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
S80KS2562GABHV020 S80KS2562GABHV020 Hersteller : INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2562GABHV020 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_S80KS2562_1_8_V_256_Mb_HyperBus_Interface-3363567.pdf DRAM SPCM
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.11 EUR
10+10.33 EUR
25+9.73 EUR
100+9.54 EUR
250+9.47 EUR
338+8.84 EUR
1014+8.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2562GABHV020 Hersteller : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS2562GABHV020 Hersteller : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH