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S80KS2563GABHV020 Infineon Technologies


Infineon-S80KS2563_1.8_V_256-Mb_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd7ad739905af
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details S80KS2563GABHV020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S80KS2563GABHV020 S80KS2563GABHV020 INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 323 Stücke:
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S80KS2563GABHV020 Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
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100+10.29 EUR
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S80KS2563GABHV020 Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
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S80KS2563GABHV020 Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
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S80KS2563GABHV020 Infineon Technologies eon_S80KS2563_1.8_V_256_Mb_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM__Self_Refresh_DRAM__DataSheet_v01_00_EN.pdf DRAM SPCM
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1+17.01 EUR
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25+15.29 EUR
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250+13.28 EUR
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S80KS2563GABHV020 3681667.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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