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S80KS2564GACHV040

S80KS2564GACHV040 Infineon Technologies

Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details S80KS2564GACHV040 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS2564GACHV040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 49Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S80KS2564GACHV040 S80KS2564GACHV040 INFINEON 3770971.pdf Description: INFINEON - S80KS2564GACHV040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 49Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
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S80KS2564GACHV040 Infineon Technologies infineondatasheethyperramdatasheetv0100en.pdf PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray
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56+12.03 EUR
100+11.27 EUR
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S80KS2564GACHV040 Infineon Technologies infineondatasheethyperramdatasheetv0100en.pdf PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray
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S80KS2564GACHV040 Infineon Technologies Infineon_Data_Sheet_HYPERRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf DRAM SPCM
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S80KS2564GACHV040 Infineon Technologies infineondatasheethyperramdatasheetv0100en.pdf PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray
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Description: INFINEON - S80KS2564GACHV040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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