S80KS5123GABHA020 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 19.42 EUR |
| 25+ | 17.4 EUR |
| 50+ | 16.97 EUR |
| 100+ | 16.54 EUR |
| 250+ | 16.01 EUR |
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Technische Details S80KS5123GABHA020 INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.
Weitere Produktangebote S80KS5123GABHA020 nach Preis ab 14.08 EUR bis 28.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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S80KS5123GABHA020 | Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: SPI - Octal I/O Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| S80KS5123GABHA020 | Infineon Technologies |
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S80KS5123GABHA020 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.38 EUR |
| 10+ | 26.35 EUR |
| 25+ | 25.54 EUR |
| 50+ | 24.92 EUR |
| 100+ | 24.31 EUR |
| S80KS5123GABHA020 |
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Hersteller: Infineon Technologies
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 14.08 EUR |