Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > S80KS5123GABHB020
S80KS5123GABHB020

S80KS5123GABHB020 Infineon Technologies

Infineon-S80KS5123_1.8_V_512-Mbit_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81228a00795 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.74 EUR
10+11.82 EUR
25+11.46 EUR
50+11.19 EUR
100+10.91 EUR
338+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details S80KS5123GABHB020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote S80KS5123GABHB020 nach Preis ab 12.22 EUR bis 13.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
S80KS5123GABHB020 S80KS5123GABHB020 Hersteller : INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHB020 Hersteller : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+13.21 EUR
100+12.22 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHB020 Hersteller : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHB020 Hersteller : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S80KS5123GABHB020 S80KS5123GABHB020 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_S80KS5123_1_8_V_512_Mbit_Octal_xSPI_Inter-3363663.pdf DRAM SPCM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH