S80KS5123GABHB020 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.33 EUR |
| 10+ | 25.38 EUR |
| 25+ | 24.6 EUR |
| 50+ | 24 EUR |
| 100+ | 23.41 EUR |
| 338+ | 22.4 EUR |
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Technische Details S80KS5123GABHB020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.
Weitere Produktangebote S80KS5123GABHB020 nach Preis ab 15.07 EUR bis 33.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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S80KS5123GABHB020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S80KS5123GABHB020 | Infineon Technologies |
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S80KS5123GABHB020 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
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Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
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IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 33.06 EUR |
| 10+ | 28.5 EUR |
| 25+ | 25.49 EUR |
| 50+ | 24.89 EUR |
| 100+ | 24.26 EUR |
| S80KS5123GABHB020 |
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Hersteller: Infineon Technologies
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 15.07 EUR |