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S80KS5123GABHM020

S80KS5123GABHM020 Infineon Technologies

n_S80KS5123_1.8_V_512_Mbit_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM__Self_Refresh_DRAM__DataSheet_v01_00_EN.pdf Hersteller: Infineon Technologies
DRAM SPCM
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Technische Details S80KS5123GABHM020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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S80KS5123GABHM020 S80KS5123GABHM020 Hersteller : Infineon Technologies S80KS5123.pdf Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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S80KS5123GABHM020 S80KS5123GABHM020 Hersteller : INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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S80KS5123GABHM020 Hersteller : Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM Automotive AEC-Q100
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S80KS5123GABHM020 Hersteller : Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM Automotive AEC-Q100
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S80KS5123GABHM020 Hersteller : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
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