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SB10-05P-TD-E

SB10-05P-TD-E onsemi

sb10-05p-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE SCHOTT 50V 1A SOT89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 52pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 25 V
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Technische Details SB10-05P-TD-E onsemi

Description: DIODE SCHOTT 50V 1A SOT89/PCP-1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 10 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 52pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 25 V.

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SB10-05P-TD-E SB10-05P-TD-E Hersteller : onsemi sb10-05p-d.pdf Description: DIODE SCHOTT 50V 1A SOT89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 52pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 25 V
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