SB180E-G

SB180E-G Comchip Technology


sb120e-g20thru.20sb1100e-g20revb.pdf Hersteller: Comchip Technology
Diode Schottky 80V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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Technische Details SB180E-G Comchip Technology

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO41, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-41, Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 80 V.

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SB180E-G SB180E-G Hersteller : Comchip Technology sb120e-g20thru.20sb1100e-g20revb.pdf Diode Schottky 80V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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SB180E-G SB180E-G Hersteller : Comchip Technology SB120E-G Thru740132. SB1100E-G RevA.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -60°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 80 V
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SB180E-G SB180E-G Hersteller : Comchip Technology SB120E_G_Thru740404__SB1100E_G_RevA-2506535.pdf Schottky Diodes & Rectifiers VR:80V,IF:1A
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