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Technische Details SBAS16WT1G onsemi
Description: ONSEMI - SBAS16WT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 1.25 V, 6 ns, 500 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SC-70, Durchlassstoßstrom: 500mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 6ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: -A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SBAS16WT1G nach Preis ab 0.081 EUR bis 0.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SBAS16WT1G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - SBAS16WT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-70 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: -A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SBAS16WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBAS16WT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 1.25 V, 6 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-70 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: -A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| SBAS16WT1G | Hersteller : ONSEMI |
SBAS16WT1G SMD universal diodes |
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SBAS16WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V |
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SBAS16WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V |
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