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SBC807-16LT1G

SBC807-16LT1G ON Semiconductor

bc807-16lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SBC807-16LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SBC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : onsemi bc807-16lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D2FDE892C0B820&compId=BC807-xxL.pdf?ci_sign=369718e845cd41955b4cea07c403ea15e81c2c56 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
313+0.23 EUR
544+0.13 EUR
684+0.10 EUR
759+0.09 EUR
873+0.08 EUR
1134+0.06 EUR
1200+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D2FDE892C0B820&compId=BC807-xxL.pdf?ci_sign=369718e845cd41955b4cea07c403ea15e81c2c56 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : onsemi BC807_16LT1_D-2309965.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : onsemi bc807-16lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ONSEMI 2237009.pdf Description: ONSEMI - SBC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ONSEMI 2237009.pdf Description: ONSEMI - SBC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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SBC807-16LT1G Hersteller : On Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SBC807-16LT1G SBC807-16LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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