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SBC817-16LT3G

SBC817-16LT3G onsemi

bc817-16lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Technische Details SBC817-16LT3G onsemi

Description: ONSEMI - SBC817-16LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SBC817-16LT3G SBC817-16LT3G onsemi bc817-16lt1-d.pdf Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR
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SBC817-16LT3G SBC817-16LT3G onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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104+0.2 EUR
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2000+0.07 EUR
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SBC817-16LT3G SBC817-16LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC817-16LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7490 Stücke:
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350+0.71 EUR
426+0.55 EUR
794+0.27 EUR
2273+0.094 EUR
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Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
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Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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Description: ONSEMI - SBC817-16LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
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productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
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