Produkte > ONSEMI > SBC846BDW1T1G
SBC846BDW1T1G

SBC846BDW1T1G ONSEMI

BC84xXDW1Tx.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
417+0.2 EUR
521+0.17 EUR
565+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SBC846BDW1T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote SBC846BDW1T1G nach Preis ab 0.098 EUR bis 0.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G onsemi Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
auf Bestellung 16281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.6 EUR
681+0.35 EUR
1085+0.2 EUR
1489+0.14 EUR
1678+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.6 EUR
681+0.35 EUR
1085+0.2 EUR
1489+0.14 EUR
1678+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 7009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+0.77 EUR
304+0.56 EUR
307+0.54 EUR
518+0.3 EUR
524+0.29 EUR
637+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC846BDW1T1G
SBC846BDW1T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
auf Bestellung 16281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.49 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC846BDW1T1G ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BDW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
417+0.6 EUR
681+0.35 EUR
1085+0.2 EUR
1489+0.14 EUR
1678+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC846BDW1T1G ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BDW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.6 EUR
681+0.35 EUR
1085+0.2 EUR
1489+0.14 EUR
1678+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC846BDW1T1G bc846bdw1t1-d.pdf
SBC846BDW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 7009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
229+0.77 EUR
304+0.56 EUR
307+0.54 EUR
518+0.3 EUR
524+0.29 EUR
637+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH