Technische Details SBC846BDW1T1G onsemi
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.
Weitere Produktangebote SBC846BDW1T1G nach Preis ab 0.092 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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SBC846BDW1T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC846BDW1T1G | onsemi |
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70 |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SBC846BDW1T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP |
auf Bestellung 39020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SBC846BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 19015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC846BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 19015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC846BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 7009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC846BDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 417+ | 0.2 EUR |
| 521+ | 0.17 EUR |
| 563+ | 0.15 EUR |
| SBC846BDW1T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 0.48 EUR |
| 72+ | 0.29 EUR |
| 116+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| SBC846BDW1T1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
auf Bestellung 39020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.49 EUR |
| 12+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.092 EUR |
| SBC846BDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 19015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 419+ | 0.6 EUR |
| 820+ | 0.29 EUR |
| 1114+ | 0.19 EUR |
| 1237+ | 0.18 EUR |
| 1684+ | 0.13 EUR |
| SBC846BDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 19015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.6 EUR |
| 820+ | 0.29 EUR |
| 1114+ | 0.19 EUR |
| 1237+ | 0.18 EUR |
| 1684+ | 0.13 EUR |
| SBC846BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 7009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 229+ | 0.75 EUR |
| 304+ | 0.55 EUR |
| 307+ | 0.52 EUR |
| 518+ | 0.3 EUR |
| 524+ | 0.29 EUR |
| 637+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.095 EUR |






