SBC847BLT1G ON Semiconductor
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Technische Details SBC847BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SBC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SBC847BLT1G nach Preis ab 0.067 EUR bis 0.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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SBC847BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SBC847BLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC847BLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SBC847BLT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR |
auf Bestellung 11902 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 7365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SBC847BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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