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SBR10M100P5Q-13D

SBR10M100P5Q-13D Diodes Incorporated

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Hersteller: Diodes Incorporated
Schottky Diodes & Rectifiers SBR Diode
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Technische Details SBR10M100P5Q-13D Diodes Incorporated

Description: DIODE SBR 100V 10A POWERDI5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerDI™ 5, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 18 ns, Technology: Super Barrier, Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 4V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PowerDI™ 5, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SBR10M100P5Q-13D Diodes SBR10M100P5Q.pdf DIODE SBR 100V 10A POWERDI5 Діоди та діодні збірки
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SBR10M100P5Q-13D SBR10M100P5Q-13D Diodes Incorporated SBR10M100P5Q.pdf Description: DIODE SBR 100V 10A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 ns
Technology: Super Barrier
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 4V
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 ns
Technology: Super Barrier
Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 4V
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
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