SBSS84LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V
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Technische Details SBSS84LT1G onsemi
Description: ONSEMI - SBSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SBSS84LT1G nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SBSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V |
auf Bestellung 75039 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SBSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 41840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 41840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SBSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET PFET SPCL TR |
Produkt ist nicht verfügbar |