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SCS205KGC17

SCS205KGC17 Rohm Semiconductor

scs205kgc17-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
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Technische Details SCS205KGC17 Rohm Semiconductor

Description: DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-220ACFP, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SCS205KGC17 SCS205KGC17 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS205KG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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