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SCS205KNTRL

SCS205KNTRL ROHM Semiconductor

scs205kn-e.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 5A SM SIC SKY
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Technische Details SCS205KNTRL ROHM Semiconductor

Description: 1200V, 5A, SMD, SILICON-CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-263L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SCS205KNTRL SCS205KNTRL Hersteller : Rohm Semiconductor scs205kn-e.pdf Description: 1200V, 5A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
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Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
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