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SCS208AGC17

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Produktcode: 203352
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCS208AGC17 SCS208AGC17 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS208AG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.75 EUR
10+7.16 EUR
50+5.63 EUR
100+5.14 EUR
500+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SCS208AGC17 SCS208AGC17 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS208AG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
auf Bestellung 1674 Stücke:
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10+5.68 EUR
100+5.18 EUR
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SCS208AGC17 Rohm Semiconductor scs208agc17-e.pdf Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
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SCS208AGC17 Rohm Semiconductor scs208agc17-e.pdf Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
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SCS208AGC17 Rohm Semiconductor scs208agc17-e.pdf Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
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SCS208AGC17 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCS208AG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; Ufmax: 1.55V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 8A
Leakage current: 0.16mA
Capacitance: 0.29nF
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 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SCS208AGC17
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
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AnzahlPrivatkunde
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SCS208AGC17
Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
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Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.13 EUR
53+3.18 EUR
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Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; Ufmax: 1.55V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 8A
Leakage current: 0.16mA
Capacitance: 0.29nF
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