SCS208AJHRTLL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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| Anzahl | Preis |
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| 22+ | 8.89 EUR |
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Technische Details SCS208AJHRTLL Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SCS208AJHRTLL nach Preis ab 5.03 EUR bis 10.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SCS208AJHRTLL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
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SCS208AJHRTLL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A 13nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCS208AJHRTLL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCS208AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 13 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
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| SCS208AJHRTLL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS208AJHRTLL SMD Schottky diodes |
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SCS208AJHRTLL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
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SCS208AJHRTLL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
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