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SCS210KNHRTRL

SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor

scs210knhr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
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Technische Details SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor

Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SCS210KNHRTRL nach Preis ab 5.94 EUR bis 18.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCS210KNHRTRL SCS210KNHRTRL ROHM Semiconductor scs210knhr-e.pdf SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
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SCS210KNHRTRL SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor scs210knhr-e.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
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2+15.93 EUR
10+10.84 EUR
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SCS210KNHRTRL SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor scs210knhr-e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
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SCS210KNHRTRL SCS210KNHRTRL ROHM 4316399.pdf Description: ROHM - SCS210KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 18 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 670 Stücke:
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14+18.99 EUR
16+15.07 EUR
19+11.51 EUR
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Mounting Type: Surface Mount
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Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
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Grade: Automotive
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Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
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Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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