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SCS212AJTLL

SCS212AJTLL Rohm Semiconductor

scs212aj-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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Technische Details SCS212AJTLL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCS212AJTLL SCS212AJTLL Rohm Semiconductor scs212aj-e.pdf Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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SCS212AJTLL SCS212AJTLL Rohm Semiconductor scs212aj-e.pdf Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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SCS212AJTLL SCS212AJTLL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS212AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC Schottky Diodes SiC, SBD 650V 12A DPAK
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SCS212AJTLL SCS212AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS212AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
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2+13.83 EUR
10+9.32 EUR
50+7.39 EUR
100+6.77 EUR
500+6.38 EUR
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SCS212AJTLL SCS212AJTLL ROHM scs212aj-e.pdf Description: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4 Stücke:
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100+5.46 EUR
250+5.21 EUR
500+5 EUR
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Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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19+9.75 EUR
34+5.07 EUR
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Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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18+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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SiC Schottky Diodes SiC, SBD 650V 12A DPAK
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10+7.16 EUR
100+6.58 EUR
500+6.2 EUR
1000+5.78 EUR
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Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
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