SCS212ANHRTRL Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 42+ | 3.51 EUR |
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Technische Details SCS212ANHRTRL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263, Kapazitive Gesamtladung: 17nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote SCS212ANHRTRL nach Preis ab 3.53 EUR bis 9.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SCS212ANHRTRL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
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SCS212ANHRTRL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 |
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SCS212ANHRTRL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A SIC AUTO |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCS212ANHRTRL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
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SCS212ANHRTRL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 17nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |