SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.89 EUR |
| 25+ | 7.45 EUR |
| 50+ | 7.01 EUR |
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Technische Details SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247, Current - Average Rectified (Io): 15A, Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote SCS215AEGC11 nach Preis ab 6.28 EUR bis 17.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCS215AEGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Durchsteckmontage |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCS215AEGC11 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY |
auf Bestellung 504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247 Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS215AEGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 8.41 EUR |
| 50+ | 8.21 EUR |
| 100+ | 6.84 EUR |
| 200+ | 6.28 EUR |
| SCS215AEGC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.11 EUR |
| 26+ | 9.23 EUR |
| 29+ | 7.5 EUR |
| SCS215AEGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.67 EUR |
| 10+ | 9.84 EUR |
| 100+ | 8.21 EUR |
| 450+ | 7.41 EUR |
| 900+ | 7.1 EUR |
| SCS215AEGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 17.28 EUR |
| 30+ | 9.97 EUR |