SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
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| 23+ | 8.08 EUR |
| 25+ | 7.62 EUR |
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Technische Details SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote SCS215AEGC11 nach Preis ab 6.43 EUR bis 17.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCS215AEGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Durchsteckmontage |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCS215AEGC11 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY |
auf Bestellung 504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V |
auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS215AEGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 8.62 EUR |
| 50+ | 8.4 EUR |
| 100+ | 7 EUR |
| 200+ | 6.43 EUR |
| SCS215AEGC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247
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Kapazitive Gesamtladung: 23nC
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Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
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Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.11 EUR |
| 26+ | 9.23 EUR |
| 29+ | 7.5 EUR |
| SCS215AEGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.67 EUR |
| 10+ | 9.01 EUR |
| 100+ | 8.21 EUR |
| 450+ | 7.81 EUR |
| SCS215AEGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 17.28 EUR |
| 30+ | 9.97 EUR |