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SCS215AGC17

SCS215AGC17 ROHM Semiconductor

datasheet?p=SCS215AG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE
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Technische Details SCS215AGC17 ROHM Semiconductor

Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-220ACFP, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V.

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SCS215AGC17 SCS215AGC17 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS215AG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
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