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SCS220ANHRTRL

SCS220ANHRTRL Rohm Semiconductor

scs220anhr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
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Technische Details SCS220ANHRTRL Rohm Semiconductor

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCS220ANHRTRL SCS220ANHRTRL Rohm Semiconductor scs220anhr-e.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
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SCS220ANHRTRL SCS220ANHRTRL ROHM Semiconductor scs220anhr-e.pdf SiC Schottky Diodes 650V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
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SCS220ANHRTRL SCS220ANHRTRL ROHM scs220anhr-e.pdf Description: ROHM - SCS220ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 31nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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SCS220ANHRTRL SCS220ANHRTRL Rohm Semiconductor scs220anhr-e.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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10+10.79 EUR
100+8.83 EUR
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Description: ROHM - SCS220ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 31nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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