SCS220KE2GC11 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 8+ | 20.62 EUR |
| 10+ | 19.21 EUR |
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Technische Details SCS220KE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote SCS220KE2GC11 nach Preis ab 9.63 EUR bis 26.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SCS220KE2GC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCS220KE2GC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V, 20A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD |
auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCS220KE2GC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS220KE2GC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS220KE2GC11 THT Schottky diodes |
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