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SCS230AE2GC11

SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCS230AE2GC11 SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor scs230ae2-e.pdf Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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SCS230AE2GC11 SCS230AE2GC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS230AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 30A, 2nd Gen
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
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Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
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