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SCS240AE2GC11

SCS240AE2GC11 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details SCS240AE2GC11 Rohm Semiconductor

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247N, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SCS240AE2GC11 SCS240AE2GC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS240AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY
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SCS240AE2GC11 SCS240AE2GC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS240AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247N
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
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