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SCS240AE2GC11

SCS240AE2GC11 Rohm Semiconductor

scs240ae2-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details SCS240AE2GC11 Rohm Semiconductor

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V.

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SCS240AE2GC11 SCS240AE2GC11 Hersteller : Rohm Semiconductor scs240ae2-e.pdf Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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SCS240AE2GC11 SCS240AE2GC11 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS240AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
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SCS240AE2GC11 SCS240AE2GC11 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS240AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC Schottky Diodes DIODE 650V 40A 3-PIN THD SIC
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SCS240AE2GC11 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCS240AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; 270W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 160A
Max. forward impulse current: 520A
Leakage current: 0.4mA
Power dissipation: 270W
Kind of package: tube
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