SCS304AMC7G Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.22 EUR |
| 57+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
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Technische Details SCS304AMC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220FM, Kapazitive Gesamtladung: 11nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote SCS304AMC7G nach Preis ab 2.84 EUR bis 7.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCS304AMC7G | ROHM |
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube |
auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCS304AMC7G | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY |
auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SCS304AMC7G |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.25 EUR |
| 51+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 3.02 EUR |
| SCS304AMC7G |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 7.04 EUR |
| 43+ | 5.5 EUR |
| SCS304AMC7G |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.28 EUR |
| 50+ | 3.92 EUR |
| 100+ | 3.38 EUR |
| 500+ | 3.06 EUR |
| SCS304AMC7G |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.38 EUR |
| 10+ | 4.84 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 500+ | 3.22 EUR |
| 1000+ | 2.84 EUR |