SCS308AHGC9

SCS308AHGC9 Rohm Semiconductor


scs308ahg-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
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Technische Details SCS308AHGC9 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACP, Kapazitive Gesamtladung: 21nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SCS308AHGC9 SCS308AHGC9 Hersteller : Rohm Semiconductor scs308ahg-e.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
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SCS308AHGC9 SCS308AHGC9 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCS308AH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.71V
Max. forward impulse current: 250A
Leakage current: 0.16mA
Kind of package: tube
Max. load current: 36A
Power dissipation: 57W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
18+4.00 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.71V
Max. forward impulse current: 250A
Leakage current: 0.16mA
Kind of package: tube
Max. load current: 36A
Power dissipation: 57W
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SCS308AHGC9 SCS308AHGC9 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS308AH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Schottky Diodes & Rectifiers 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP
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10+6.21 EUR
100+5.03 EUR
250+4.75 EUR
500+4.47 EUR
1000+3.84 EUR
2500+3.61 EUR
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SCS308AHGC9 SCS308AHGC9 Hersteller : ROHM 2702681.pdf Description: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 21nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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SCS308AHGC9 SCS308AHGC9 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS308AH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
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