SCS308AHGC9 Rohm Semiconductor
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Technische Details SCS308AHGC9 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACP, Kapazitive Gesamtladung: 21nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SCS308AHGC9 nach Preis ab 3.05 EUR bis 7.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SCS308AHGC9 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
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SCS308AHGC9 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCS308AHGC9 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 21nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCS308AHGC9 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCS308AHGC9 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 751 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SCS308AHGC9 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
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