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SCT040H65G3-7 STMICROELECTRONICS

Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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Technische Details SCT040H65G3-7 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, H2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
SCT040H65G3-7	Hersteller : STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, H2PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99	auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SCT040H65G3-7	Hersteller : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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