SCT2080KEC Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Technische Details SCT2080KEC Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-247, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA, Power Dissipation (Max): 262W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SCT2080KEC | ROHM Semiconductor |
MOSFET N-Ch MOSFET 1200V Silicon Carbide SiC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SCT2080KEC | ROHM |
Description: ROHM - SCT2080KEC - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 35A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 4V Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 35 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 179 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 179 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal MOSFET-Konfiguration: Eins Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08 Rds(on)-Prüfspannung: 18 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCT2080KEC |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET N-Ch MOSFET 1200V Silicon Carbide SiC
MOSFET N-Ch MOSFET 1200V Silicon Carbide SiC
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| SCT2080KEC |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT2080KEC - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 35A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 4V
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 179
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - SCT2080KEC - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 35A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 4V
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 179
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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