SCT2080KEHRC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details SCT2080KEHRC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SCT2080KEHRC11 nach Preis ab 44.81 EUR bis 93.89 EUR
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SCT2080KEHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SCT2080KEHRC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N |
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SCT2080KEHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
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