SCT20N120AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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Technische Details SCT20N120AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT20N120AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 153W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SCT20N120AG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SCT20N120AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Power dissipation: 153W Case: HIP247™ Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 0.22Ω Pulsed drain current: 45A Polarisation: unipolar Drain current: 16A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SCT20N120AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 45A
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Power dissipation: 153W
Case: HIP247™
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.22Ω
Pulsed drain current: 45A
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)