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SCT2450KEGC11

SCT2450KEGC11 Rohm Semiconductor


sct2450ke-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details SCT2450KEGC11 Rohm Semiconductor

Description: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SCT2450KEGC11 SCT2450KEGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor sct2450ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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SCT2450KEGC11 SCT2450KEGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor sct2450ke-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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SCT2450KEGC11 SCT2450KEGC11 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT2450KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 450mohm 2nd Gen TO-247
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SCT2450KEGC11 SCT2450KEGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT2450KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 800 V
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