SCT2H12NZGC11 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SCT2H12NZGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-3PFM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT2H12NZGC11 nach Preis ab 5.80 EUR bis 11.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SCT2H12NZGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube |
auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT2H12NZGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Supplier Device Package: TO-3PFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V |
auf Bestellung 682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT2H12NZGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT2H12NZGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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SCT2H12NZGC11 Produktcode: 194772
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| SCT2H12NZGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube |
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| SCT2H12NZGC11 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
SCT2H12NZGC11 THT N channel transistors |
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