SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 31.44 EUR |
| 10+ | 22.22 EUR |
| 100+ | 17.02 EUR |
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Technische Details SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 262W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4.
Weitere Produktangebote SCT3040KRHRC15 nach Preis ab 24.69 EUR bis 50.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SCT3040KRHRC15 | ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mohm 3rd Gen TO-247-4L |
auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3040KRHRC15 | ROHM |
Description: ROHM - SCT3040KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 262W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3040KRHRC15 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3040KRHRC15 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3040KRHRC15 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mohm 3rd Gen TO-247-4L
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mohm 3rd Gen TO-247-4L
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 42.79 EUR |
| 10+ | 38.01 EUR |
| 100+ | 33.26 EUR |
| 250+ | 31.06 EUR |
| 450+ | 31.02 EUR |
| SCT3040KRHRC15 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3040KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - SCT3040KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 50.53 EUR |
| 6+ | 42.65 EUR |
| 10+ | 35.43 EUR |
| 50+ | 32.61 EUR |
| 100+ | 28.81 EUR |
| 250+ | 28.23 EUR |
| SCT3040KRHRC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 35.35 EUR |
| 10+ | 32.5 EUR |
| 50+ | 31.15 EUR |
| 100+ | 29.68 EUR |
| 200+ | 28.43 EUR |
| SCT3040KRHRC15 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 36.9 EUR |
| 25+ | 29.94 EUR |
| 50+ | 28.38 EUR |
| 100+ | 26.86 EUR |
| 250+ | 24.69 EUR |