SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 26.42 EUR |
| 10+ | 18.67 EUR |
| 100+ | 14.3 EUR |
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Technische Details SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SCT3040KRHRC15 nach Preis ab 18.93 EUR bis 35.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SCT3040KRHRC15 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mohm 3rd Gen TO-247-4L |
auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT3040KRHRC15 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT3040KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 262W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3040KRHRC15 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT3040KRHRC15 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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