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SCT3160KW7HRTL

SCT3160KW7HRTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT3160KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+7.93 EUR
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Technische Details SCT3160KW7HRTL Rohm Semiconductor

Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SCT3160KW7HRTL nach Preis ab 8.08 EUR bis 18.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL Rohm Semiconductor sct3160kw7hr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12 EUR
25+11.32 EUR
50+10.65 EUR
100+10.06 EUR
250+9.6 EUR
500+9.2 EUR
1000+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL Rohm Semiconductor sct3160kw7hr-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL ROHM sct3160kw7hr-e.pdf Description: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.95 EUR
15+15.48 EUR
17+13.17 EUR
50+12.13 EUR
100+9.58 EUR
250+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL ROHM sct3160kw7hr-e.pdf Description: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
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14+17.95 EUR
15+15.48 EUR
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SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT3160KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 1031 Stücke:
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10+12.61 EUR
100+9.53 EUR
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SCT3160KW7HRTL SCT3160KW7HRTL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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SCT3160KW7HRTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
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SCT3160KW7HRTL
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 830 Stücke:
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SCT3160KW7HRTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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14+17.95 EUR
15+15.48 EUR
17+13.17 EUR
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SCT3160KW7HRTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3160KW7HRTL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+17.95 EUR
15+15.48 EUR
17+13.17 EUR
50+12.13 EUR
100+9.58 EUR
250+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SCT3160KW7HRTL datasheet?p=SCT3160KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3160KW7HRTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
auf Bestellung 1031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+18.35 EUR
10+12.61 EUR
100+9.53 EUR
1000+8.08 EUR
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SCT3160KW7HRTL datasheet?p=SCT3160KW7HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3160KW7HRTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.71 EUR
10+12.84 EUR
100+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH