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SCT4013DW7TL

SCT4013DW7TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=SCT4013DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details SCT4013DW7TL Rohm Semiconductor

Description: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V, Power Dissipation (Max): 267W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V.

Weitere Produktangebote SCT4013DW7TL nach Preis ab 39.78 EUR bis 58.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SCT4013DW7TL SCT4013DW7TL ROHM sct4013dw7-e.pdf Description: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+40.46 EUR
50+40.11 EUR
100+39.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SCT4013DW7TL SCT4013DW7TL ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4013DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC MOSFETs TO263 750V 98A N-CH SIC
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.24 EUR
10+41.36 EUR
100+40.7 EUR
1000+40.34 EUR
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SCT4013DW7TL SCT4013DW7TL ROHM sct4013dw7-e.pdf Description: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.23 EUR
10+40.46 EUR
50+40.11 EUR
100+39.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCT4013DW7TL SCT4013DW7TL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4013DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
auf Bestellung 1085 Stücke:
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1+58.29 EUR
10+42.73 EUR
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SCT4013DW7TL sct4013dw7-e.pdf
SCT4013DW7TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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SCT4013DW7TL datasheet?p=SCT4013DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT4013DW7TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs TO263 750V 98A N-CH SIC
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+50.24 EUR
10+41.36 EUR
100+40.7 EUR
1000+40.34 EUR
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SCT4013DW7TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+53.23 EUR
10+40.46 EUR
50+40.11 EUR
100+39.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT4013DW7TL datasheet?p=SCT4013DW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT4013DW7TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+58.29 EUR
10+42.73 EUR
100+41.88 EUR
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