SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SCT4036KEC11 nach Preis ab 18.37 EUR bis 38.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SCT4036KEC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
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SCT4036KEC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 18V Power Dissipation (Max): 176W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 11.1mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 800 V |
auf Bestellung 4677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SCT4036KEC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT4036KEC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SCT4036KEC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SCT4036KEC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1200V SIC MOSFET |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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